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我與貝意克的故事---人物專訪
最新:ESI大學及材料學科排行榜發布!
近日,科睿唯安公布了ESI最新統計數據。ESI收錄了12000多種學術期刊上發表的SCIE和SSCI近十年發表的論文和被引數據,具有廣泛的代表性,已經被全球普遍認可。
中國大陸一共418所高校有學科進入全球前1%,其中新增9所,無退出。新增高校為:西南民族大學、上海紐約大學、江蘇海洋大學、寧波工程學院、天津大學-新加坡國立大學福州聯合學院、陜西中醫藥大學、湖南工程學院、湖北經濟學院、山東工商學院。
展會邀約 | 貝意克與您相約2023中國國際先進陶瓷展覽會
2023中國國際粉末冶金、硬質合金與先進陶瓷展覽會將于2023年5月31日至6月2日在上海世博展覽館H1&H2舉行。作為我國材料裝備行業標桿企業的貝意克設備也將攜旗下產品參加此次展會,展位號E662,歡迎各界朋友蒞臨展位參觀洽談。
印度將成為培育鉆石的最大市場
培育鉆石主要采用兩種方法生產——CVD(化學氣相沉積)和 HPHT(高壓高溫)。有趣的是,印度是通過CVD技術生產培育鉆石的最大生產國,占全球培育鉆石產量的近25%。該技術為消費者提供了所有領先的鉆石認證機構認證的最純凈的IIA型鉆石。即使在開采的鉆石中也很難找到IIA級質量的鉆石,因為只有2%的開采鉆石是最純凈的鉆石類型。通過HPHT方法生產的低密度鉆石在中國通過不同的技術生長,其硬度與開采鉆石或CVD生長鉆石不同,并且還含有金屬雜質。

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卷對卷連續化走絲BN沉積系統  RTR-1400C-III-60
設備型號:RTR-1400C-III-60 設備簡介:該設備為我司研發用于材料連續生長的專用設備,此款設備是快速冷卻卷對卷CVD連續生長爐,它由高溫生長加熱系統,真空密封腔室,剛玉管,SiC纖維卷繞部件,自動化控制系統組成,兩端分別安裝有進料進氣真空腔室和出料排氣真空腔室(即收放卷的密封裝置),收放密封裝置內分別對應安裝有放卷滾輪和收卷滾輪,所輸出料排氣腔體與爐體之間安裝有冷卻裝置。相對于現有技術具有快速冷卻、連續生長的優點。
卷對卷連續生長PECVD設備 RTR-III-80-PE
設備型號:RTR-III-80-PE 設備簡介:該設備為我司研發用于石墨烯薄膜連續生長或者線性材料的連續的專用設備,此款設備是快速冷卻卷對卷CVD連續生長爐,它由高溫生長腔體,三路質量流量計氣路系統,真空機組,石英管,冷卻裝置,收放卷的密封裝置,自動化控制系統組成,兩端分別安裝有進料進氣真空腔室和出料排氣真空腔室(即收放銅箔或纖維絲的密封裝置),收放密封裝置內分別對應安裝有放卷滾輪和收卷滾輪,所輸出料排氣腔體與爐體之間安裝有冷卻裝置。相對于現有技術具有快速冷卻、連續生長的優點,可以進行大面積、高質量石墨烯的規?;L或者線性材料的連續生長。(纖維生長工藝,配有纖維張力計,可以通過調節電機轉速,以便達到纖維連續進出且受力均勻。)
卷對卷連續化生長CVD設備 RTR-III-80
設備型號:RTR-III-80 設備簡介:該設備為我司研發用于石墨烯薄膜連續生長或者線性材料的連續的專用設備,此款設備是快速冷卻卷對卷CVD連續生長爐,它由高溫生長腔體,三路質量流量計氣路系統,真空機組,石英管,冷卻裝置,收放卷的密封裝置,自動化控制系統組成,兩端分別安裝有進料進氣真空腔室和出料排氣真空腔室(即收放銅箔或纖維絲的密封裝置),收放密封裝置內分別對應安裝有放卷滾輪和收卷滾輪,所輸出料排氣腔體與爐體之間安裝有冷卻裝置。相對于現有技術具有快速冷卻、連續生長的優點,可以進行大面積、高質量石墨烯的規?;L或者線性材料的連續生長。(纖維生長工藝,配有纖維張力計,可以通過調節電機轉速,以便達到纖維連續進出且受力均勻)
大口徑動態plasma輔助法卷對卷式石墨烯制備設備 RTR-150
設備型號:RTR-150 設備簡介: 該設備為我司研發用于材料連續生長的專用設備,此款設備是快速冷卻卷對卷等離子體增強CVD連續生長爐,它由高溫生長腔體,質量流量計氣路系統,真空機組,RF射頻電源模塊,石英管,冷卻裝置,收放卷的密封裝置,自動化控制系統組成,兩端分別安裝有進料進氣真空腔室和出料排氣真空腔室(即收放卷的密封裝置),收放密封裝置內分別對應安裝有放卷滾輪和收卷滾輪,所輸出料排氣腔體與爐體之間安裝有冷卻裝置。相對于現有技術具有快速冷卻、連續生長的優點。
卷對卷薄膜石墨烯生長設備 ROLL-TO-ROLL
設備簡介:基于廣大科研界對實現大面積單層石墨烯薄膜在工業銅箔基底上卷對卷宏量制備的需求,我公司利用一種新型等離子增強卷對卷連續快速生長石墨烯薄膜的方法,設計并研制了可達到中試水平的石墨烯卷對卷化學氣相沉積系統,通過對石墨烯成核與生長的調控實現高品質石墨烯薄膜生長;卷對卷熱壓印-電化學快速鼓泡轉移方法轉移,避免了銅箔刻蝕的常規轉移工藝,實現了石墨烯從銅箔生長基底直接向工業用 PET 柔性透明塑料基底的連續化無損轉移。 該設備在真空條件下,通過射頻電源作用于真空腔室內的稀薄氣體,形成等離子體等效輝光作用(本公司PECVD專利),利用等離子體的場能部分代替了熱能,從而降低石墨烯生長溫度,改善工藝條件。通過對石墨烯成核與生長的調控實現高品質石墨烯薄膜生長。該方法使用銅箔作為基底,電機帶動銅箔在密閉生長條件下運動,經過第一溫區(退火區)處理后的銅箔;在第二、第三溫區(生長區)石墨烯將沉積在銅箔上,并通過冷卻裝置后收緊成卷。相對于現有技術具有快速冷卻、連續生長的優點,可以進行大面積、高質量石墨烯的規?;L。
大型卷對卷連續石墨烯膜生長設備
設備簡介:基于廣大科研界對實現大面積單層石墨烯薄膜在工業銅箔基底上卷對卷宏量制備的需求,我公司開發出一種新的卷對卷連續快速生長石墨烯薄膜的方法,設計并研制了可達到中試水平的石墨烯卷對卷化學氣相沉積系統,通過對石墨烯成核與生長的調控實現高品質石墨烯薄膜生長;此款設備是快速冷卻卷對卷等離子體增強CVD連續生長爐,它由高溫生長腔體,三路質量流量計氣路系統,真空機組,RF射頻電源模塊,石英管,冷卻裝置,收放銅箔的密封裝置,自動化控制系統組成,兩端分別安裝有進料進氣真空腔室和出料排氣真空腔室(即收放銅箔的密封裝置),收放銅箔的密封裝置內分別對應安裝有放卷滾輪和收卷滾輪,所輸出料排氣腔體與爐體之間安裝有冷卻裝置。相對于現有技術具有快速冷卻、連續生長的優點,可以進行大面積、高質量石墨烯的規?;L。
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