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我與貝意克的故事---人物專訪
最新:ESI大學及材料學科排行榜發布!
近日,科睿唯安公布了ESI最新統計數據。ESI收錄了12000多種學術期刊上發表的SCIE和SSCI近十年發表的論文和被引數據,具有廣泛的代表性,已經被全球普遍認可。
中國大陸一共418所高校有學科進入全球前1%,其中新增9所,無退出。新增高校為:西南民族大學、上海紐約大學、江蘇海洋大學、寧波工程學院、天津大學-新加坡國立大學福州聯合學院、陜西中醫藥大學、湖南工程學院、湖北經濟學院、山東工商學院。
展會邀約 | 貝意克與您相約2023中國國際先進陶瓷展覽會
2023中國國際粉末冶金、硬質合金與先進陶瓷展覽會將于2023年5月31日至6月2日在上海世博展覽館H1&H2舉行。作為我國材料裝備行業標桿企業的貝意克設備也將攜旗下產品參加此次展會,展位號E662,歡迎各界朋友蒞臨展位參觀洽談。
印度將成為培育鉆石的最大市場
培育鉆石主要采用兩種方法生產——CVD(化學氣相沉積)和 HPHT(高壓高溫)。有趣的是,印度是通過CVD技術生產培育鉆石的最大生產國,占全球培育鉆石產量的近25%。該技術為消費者提供了所有領先的鉆石認證機構認證的最純凈的IIA型鉆石。即使在開采的鉆石中也很難找到IIA級質量的鉆石,因為只有2%的開采鉆石是最純凈的鉆石類型。通過HPHT方法生產的低密度鉆石在中國通過不同的技術生長,其硬度與開采鉆石或CVD生長鉆石不同,并且還含有金屬雜質。

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定制型升華設備 BOF-2C-400D
設備型號:BOF-2C-400D
雙管式高真空管式設備
設備型號:BSL-1ZH-D80-2D 設備簡介:雙管式高真空管式設備BSL-1ZH-D80-2D,配備真空系統、手搖升降機構、觸摸屏控制系統、氣路組件、真空系統、防護組件等;設備平臺可0-20度手動升降,雙管高真空實驗;設備左端法蘭上每管配有壓力表和2個截止閥控制的進氣口,其中一個為備用扣;右端法蘭上端配有壓力保護裝置,出氣口對接點火裝置,方便處理尾氣;后部通過手動插板閥對接冷井至真空泵組合:分子泵+干泵。
搖擺管式爐(Swing tube furnace)
型號:BTF-1200C-SK 關鍵詞:搖擺管式爐BTF-1200C-SK是一款管式搖擺爐,最高溫度可達1200℃,30段可編程精密溫度控制器,可根據不同的客戶需求來設定升降溫程序,設備可設定取放料工位(如垂直取放料),并設定搖擺起始工位(如垂直作為起始工位),可實現液晶屏一鍵歸位,速度范圍為0-30次/min,傾斜角度可達±30度。內置310不銹鋼防護管,可很好的在石英樣管出現特殊情況爆管的時候起到保護作用。 產品用途:可通過搖擺提高熔體均勻性、細化晶粒,廣泛應用于熱電材料制備工藝中。
雙獨立溫場高溫滑軌爐(High temperature slide furnace with double independent temperature field)
型號:BTF-1400C-II-SSL 關鍵詞:BTF-1400C-II-SSL是一款兩個完全獨立溫場的高溫滑軌爐,采為卡箍快捷密封法蘭,安裝拆卸取放樣品簡便快捷,兩個數字溫度控制器可獨立控制溫度,并可設置30段升降溫程序,加熱區均采用硅碳棒進行加熱,連續使用溫度可達1300度;兩個獨立的爐體可靠近亦可分離,可以靈巧的控制整個溫度分布。 適用范圍:廣泛用于CVD實驗、熒光粉制備、真空或氣氛燒結、基片鍍膜等要求加熱溫度較高的實驗環境中。
1200℃智能型PECVD系統(含壓力控制系統) PECVD-500A-D
設備型號: PECVD-500A-D 設備簡介:智能PECVD-500A-D是將所有的控制部分集為一體且目前最新型的一款設備??膳鋫銹E射頻電源,將CVD系統升級為PECVD。當參與反應的氣氛進入爐管在射頻電源的作用下產生離子體,可使反應更加充分。同時等離子體起增強的作用,從而很大程度上優化實驗的工藝條件。我公司研制的滑軌式PECVD系統能使整個實驗腔體都處于輝光產生區,輝光均勻等效,這種技術很好的解決了傳統等離子工作不穩定狀態,這樣離子化的范圍和強度是傳統PECVD的百倍,并解決了物料不均勻堆積現象。與傳統CVD系統比較,生長溫度更低。使用滑軌爐實現快速升溫和降溫,設備特有的專利技術使得整管輝光均勻等效,均勻生長。
定制小型立式滑軌爐 BTF-700C-III-SVT
設備型號:BTF-700C-III-SVT
1200℃前端預熱法硫化鉬制備CVD設備 BTF-1200C-Ⅲ-S-400C-D
設備型號:BTF-1200C-Ⅲ-S-400C-D 設備簡介:前端預熱法硫化鉬制備CVD設備由預熱爐、三溫區管式爐、低真空機組和供氣系統組成。前端配有可加熱到500℃的預加熱器,輔助硫粉蒸發,后端為三溫區硫化爐,溫度控制精確,操作簡便。同時搭配三路質量流量計系統,可以精確控制實驗所需的氣體流量,低真空機組可以滿足抽真空的需求。
中試流化床-粉體碳納米管生長設備 BTF-1200C-5VT-D200
設備型號:BTF-1200C-5VT-D200 設備簡介:流化床—粉體碳納米管生長設備可控及批量制備碳納米管設備,該設備包括有:流化床反應器、五溫區加熱裝置、催化劑裝載平臺、密封裝置。氣體經過氣體流量控制裝置后與流化床反應器的進氣口相連接,氣源進入反應腔體后與催化劑發生反應,從而生長碳納米管。
磁控濺射儀 BT250
設備型號:BT250 設備簡介:磁控濺射是利用磁場束縛電子的運動(即磁控管模式),其結果導至轟擊基片的高能電子的減少和轟擊靶材的高能離子的增多,使其具備了“低溫”、“高速”兩大特點。磁控濺射法制備的薄膜厚可控性和重復性好、薄膜與基片的附著能力強,膜層純度高。
1200℃智能型單溫區滑軌式熱處理設備 BTF-1200C-SL-4Z
設備型號:BTF-1200C-SL-4Z 設備簡介:管式真空/氣氛提純分離裝置主要用途是在真空條件下預先抽真空后進行惰性氣體洗氣。氣氛流動(一進一出,維持常壓)情況下對有機混合物進行升華達到純化的目的(即蒸發后再結晶)。主要處理對象為具有升華性的有機材料或具有流動相持性混合物如有機聲光產品(有機發光顯示器使用的有機光電材料)或納米材料。
半導體前驅體提純儀/藥品提純儀/去金屬離子提純儀
設備型號:BOF-6-210 設備簡介:此設備在出料端配置對面四工位手套箱,手套箱內設置底鋪設四氟墊或噴涂特氟能起到防腐作用,半導體材料升華儀根據材料升華溫度、分子量的差異,對于材料進行提純,參數準確,工藝可靠穩定,實驗結果表明,單次升華可大幅度降低有機材料中的雜質金屬離子濃度,將材料的純度提升一至三個數量級。整個操作過程材料與大氣隔絕,避免了大氣中水、氧的影響以及灰塵的污染,是制備高純度半導體前驅體及相關材料的最佳選擇。
半導體前驅體提純儀/藥品提純儀/去金屬離子提純儀
設備型號:BOF-5-100V 設備簡介:此款設備將實驗級別的升華機右端料端均對接手套箱,手套箱可內襯四氟或噴涂特氟能起到防腐作用,半導體材料升華儀根據材料升華溫度、分子量的差異,對于材料進行提純,參數準確,工藝可靠穩定,實驗結果表明,單次升華可大幅度降低有機材料中的雜質金屬離子濃度,將材料的純度提升一至三個數量級。整個操作過程材料與大氣隔絕,避免了大氣中水、氧的影響以及灰塵的污染,是制備高純度半導體前驅體及相關材料的最佳選擇。
垂直式升華儀 BOF-2-200L
設備型號:BOF-2-200L 設備簡介:本款設備專用于金屬有機物等低升華點腐蝕性材料的升華提純。原材料罐可以根據所需條件,自由選擇油浴、沙浴、電加熱等方式,通過對管道進行加熱避免材料沉積在管道內;采用雙冷阱作為收集罐,可以對兩組分別升華收集;機械泵前設置深冷冷阱,避免殘余物質進入機械泵中,大大延長了機械泵的使用壽命。原料罐、收集罐可以封閉后直接放入手套箱操作,避免了大氣中水、氧等對材料的影響。腔體、管道、閥門采用316不銹鋼材質,內壁有40um的聚四氟涂層,避免金屬腔體對材料的污染;外表進行精拋光處理,便于清理。
分體式升華設備將熱場置于手套箱 BOF-3-50V
設備型號:BOF-3-50V 設備簡介:此款設備簡易分體式結構,能將升華體置于手套箱內部,控制部分及真空部分置于手套箱外,操作簡易。能初步滿足材料進出及升華過程中的氣氛保護要求。法蘭為球頭真空吸附方式密封,無需工具操作,大大降低了手套箱內的操作難度,整個操作過程材料與大氣隔絕,避免了大氣中水、氧的影響以及灰塵的污染,是制備高純度半導體前驅體及相關材料的最佳選擇。
升降雙溫區立式管式爐 VTF-1700C-SL-80-A
設備型號:VTF-1700C-SL-80-A 設備簡介:該款設備是雙溫區立式管式爐(1400℃+1700℃),最高溫度可以達1700度,采用雙層殼體結構,使得殼體表面溫度<65℃,高純度氧化鋁纖維作為爐膛保溫材料,主要應用領域如碳納米管生長,陶瓷燒結退火,單晶生長等。
1200℃加長雙溫區管式爐 BTF-1200C-II-D-880
設備型號:BTF-1200C-II-D-880
卷對卷連續化走絲BN沉積系統  RTR-1400C-III-60
設備型號:RTR-1400C-III-60 設備簡介:該設備為我司研發用于材料連續生長的專用設備,此款設備是快速冷卻卷對卷CVD連續生長爐,它由高溫生長加熱系統,真空密封腔室,剛玉管,SiC纖維卷繞部件,自動化控制系統組成,兩端分別安裝有進料進氣真空腔室和出料排氣真空腔室(即收放卷的密封裝置),收放密封裝置內分別對應安裝有放卷滾輪和收卷滾輪,所輸出料排氣腔體與爐體之間安裝有冷卻裝置。相對于現有技術具有快速冷卻、連續生長的優點。
1200℃真空氣氛箱式爐 ZMF-1200C-M
設備型號:ZMF-1200C-M
卷對卷連續化生長CVD設備 RTR-III-80
設備型號:RTR-III-80 設備簡介:該設備為我司研發用于石墨烯薄膜連續生長或者線性材料的連續的專用設備,此款設備是快速冷卻卷對卷CVD連續生長爐,它由高溫生長腔體,三路質量流量計氣路系統,真空機組,石英管,冷卻裝置,收放卷的密封裝置,自動化控制系統組成,兩端分別安裝有進料進氣真空腔室和出料排氣真空腔室(即收放銅箔或纖維絲的密封裝置),收放密封裝置內分別對應安裝有放卷滾輪和收卷滾輪,所輸出料排氣腔體與爐體之間安裝有冷卻裝置。相對于現有技術具有快速冷卻、連續生長的優點,可以進行大面積、高質量石墨烯的規?;L或者線性材料的連續生長。(纖維生長工藝,配有纖維張力計,可以通過調節電機轉速,以便達到纖維連續進出且受力均勻)
自動進料回轉CVD系統 BTF-1200C-R-CVD
型號:BTF-1200C-R-CVD
前端預熱滑軌式PECVD BTF-1200C-II-SL-PECVD
設備型號:BTF-1200C-II-SL-PECVD 設備簡介:我公司研制的滑軌式PECVD系統能使整個實驗腔體都處于輝光產生區,輝光均勻等效,這種技術很好的解決了傳統等離子工作不穩定狀態,這樣離子化的范圍和強度是傳統PECVD的百倍,并解決了物料不均勻堆積現象。該款設備是全自動Plasma增強CVD系統(PECVD),系統可以實現連續滑動溫區,連續可控制溫度及Plasma強度。PECVD是借助于輝光放電等方法產生等離子體,輝光放電等離子體中:①電子密度高109-1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍,使含有薄膜組成的氣態物質發生化學反應,從而實現薄膜材料生長的一種新的制備技術。②通過反應氣態放電,有效地利用了非平衡等離子體的反應特征,從根本上改變了反應體系的能量供給方式低溫熱等離子體化學氣相沉積法具有氣相法的所有優點,工藝流程簡單。
真空中頻感應熔煉紡絲設備 BMF-1800C-D
設備型號:BMF-1800C-D 設備簡介:真空中頻感應熔煉爐為立式爐殼型的真空感應電爐。專供特殊鋼、高溫合金、精密合金等在真空或保護氣氛下進行熔煉和鑄錠之用,亦可供小型零件的真空精密鑄造使用。
1200℃真空氣氛滑軌爐 BTF-1200C-DSL
設備型號:BTF-1200C-DSL 設備簡介:BTF-1200C-DSL 是一款精巧型快速熱處理管式爐,配有石英管和真空水冷法蘭,它是專為半導體或太陽能電池基片的退火而設計,采用電阻絲為加熱元件。溫度控制位30 段可編程溫度控制器,控溫精度為±1°C。內部配有石英材質樣品架,可以自由滑動實現快速升降溫功能。根據工藝需要,爐管內部可引入電極,適合更多數據采集需要。 承載樣品的托架可直接劃出爐腔,使進出樣品更方便簡易,同時能實驗高溫條件下進出樣品。
液相蒸發儀 BTF-350C-UM
設備型號:BTF-350C-UM 設備簡介:液相蒸發儀是一款氣液混合加熱設備,集控制系統與氣液混合系統為一體。采用耐腐蝕不銹鋼制作儲液罐,并在罐頂部加有透明視窗,可以實時觀測罐內液位;采用加熱套環輔以柔性電加熱帶為加熱元件,加以精密儀表控溫,最高加溫至250°C 推薦長期溫度≤200°C;另外在殼體外部加裝有溫度計用以實時監測環境溫度。 本精密液相控制器主要操作過程為:氣體經‘兩位三通閥’進入,經導氣管(若導氣管發生堵塞可直接拔出后疏通或更換)直達罐內液位底部,經‘儲液罐’加熱后到達‘出口耐高溫閥’(最大耐溫250°C)直至氣體使用區域。自出氣口至氣體使用區域間的管道配有柔性電加熱帶全程加熱。儲液罐底部加工成碗型底,在最低處裝有排液口(截止閥控制)結構如圖二所示,可將剩余殘夜順利排出或加以清洗。本罐體可承受微正壓至多0.05Mpa,耐一般性腐蝕物。若使用應在完全脫水狀態下使用。
大口徑動態plasma輔助法卷對卷式石墨烯制備設備 RTR-150
設備型號:RTR-150 設備簡介: 該設備為我司研發用于材料連續生長的專用設備,此款設備是快速冷卻卷對卷等離子體增強CVD連續生長爐,它由高溫生長腔體,質量流量計氣路系統,真空機組,RF射頻電源模塊,石英管,冷卻裝置,收放卷的密封裝置,自動化控制系統組成,兩端分別安裝有進料進氣真空腔室和出料排氣真空腔室(即收放卷的密封裝置),收放密封裝置內分別對應安裝有放卷滾輪和收卷滾輪,所輸出料排氣腔體與爐體之間安裝有冷卻裝置。相對于現有技術具有快速冷卻、連續生長的優點。
回轉PECVD BTF-1200C-R-PECVD
設備型號:BTF-1200C-R-PECVD 設備簡介:本款設備可以做金屬復合石墨烯材料,是目前最高端的金屬復合材料制備設備??梢杂糜趧恿﹄姵?,提升電池內阻和能量密度,有效解決新能源汽車電池的問題。設備爐管可360度旋轉,管內壁有石英擋片幫助粉料翻轉有助于燒結得更均勻;可左右大角度傾斜,方便出放料,傾斜角度在0~35°之間。全自動Plasma增強CVD系統(PECVD),連續可控溫度以及Plasma強度等,配備真空系統,可以實現低壓條件下的實驗,針對低溫石墨烯、碳納米管生長等。PECVD系統能使整個實驗腔體都處于輝光產生區,輝光均勻等效,這種技術很好的解決了傳統等離子工作不穩定狀態,這樣離子化的范圍和強度是傳統PECVD的百倍,并解決了物料不均勻堆積現象。
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